| 型号： | PDTA123EE,115 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | NXP Semiconductors | 描述： | TRANS PNP W/RES 50V SOT-416 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| PDTA123EE,115 PDF |  |
| 产品目录绘图 | SOT-416 Package Top PDTA1xxxE Series Circuit |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 2.2k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 2.2k |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 30 @ 20mA，5V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 150mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1µA |
| 频率 - 转换 | - |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 供应商设备封装 | SC-75 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | 568-2116-2 934058175115 PDTA123EE T/R |